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精密与特种加工技术（第3版） 课件 第十章 MEMS及纳米加工技术.ppt

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    4.2干法刻蚀——光子束刻蚀、中子刻蚀、等离子刻蚀；室温下相对惰性的气体在等离子状态下化学活性大大增加高度的方向性洁净反应物消耗少精确的图形转移比湿法腐蚀更容易控制*4.2.1干法刻蚀的四种方式离子溅射物理刻蚀材料的选择性差多段截面等离子刻蚀化学刻蚀选择性好方向性好反应离子刻蚀（RIE）物理+化学刻蚀选择性较高方向性好电感耦合RIE物理+化学刻蚀选择性很高方向性很好Sputtering（Physical）ChemicalIon-enhancedenergeticIon-enhancedinhibitor*DRIE刻蚀的

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