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集成负压的GaN栅极串扰抑制驱动芯片设计

一、引言

随着半导体技术的不断进步，氮化镓（GaN）作为新一代的高效、高功率半导体材料，被广泛应用于射频功率放大器、电源管理等众多领域。然而，GaN器件在高频工作时容易出现栅极串扰现象，这对功率系统的性能和稳定性带来了严重影响。为了解决这一问题，本文设计了一种集成负压的GaN栅极串扰抑制驱动芯片。该芯片通过集成负压技术，有效抑制了栅极串扰，提高了GaN器件的效率和可靠性。

二、芯片设计概述

本驱动芯片设计主要包含以下几个部分：负压产生电路、栅极驱动电路、保护电路以及控制电路。其中，负压产生电路为整个芯片提供稳定的负电压；栅极驱动电路负责控制GaN器件的