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高维持电压LDMOS-SCR静电防护特性研究.docxVIP

高维持电压LDMOS-SCR静电防护特性研究.docx

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    高维持电压LDMOS-SCR静电防护特性研究

    一、引言

    随着半导体技术的不断发展，静电防护技术成为现代集成电路和器件保护的关键环节。高维持电压LDMOS-SCR（LateralDoubleMetalOxideSemiconductorwithaStackedGateCellRegulator）器件，因其独特的工作特性和卓越的抗静电能力，正受到电子行业的广泛关注。本论文针对高维持电压LDMOS-SCR的静电防护特性进行深入研究，探讨其工作原理及性能特点，以期为相关器件的设计和应用提供理论支持。

    二、高维持电压LDMOS-SCR概述

    高维持电压LDMOS-SCR是一种基于LDM

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