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纳米技术_哈尔滨工业大学中国大学mooc章节课后测试答案期末考试题库2024年

【图片】上图是巨磁电阻的结构示意图，红色是层。（从自由、固定、钉扎、隔离中选）

答案:自由

染料敏化太阳电池比硅基太阳电池的光电转化效率要高。

答案:错误

关于自旋阀下列那种说法正确：

答案:GMR磁头是自旋阀结构_多采用磁控溅射工艺制备

对于GaN/InGaN/GaN量子阱结构LED和激光器下列哪种说法正确：

答案:LED没有谐振腔而激光器有_可采用MOCVD工艺来制备GaN/InGaN/GaN量子阱

关于分子电子器件下列那种说法不正确：

答案:分子整流器只能基于有机分子本身的非对称性进行工作

单电子器件是基于电子效应与库伦阻塞效应工作的一类纳米器件。

答案:隧穿

电导量子为：e/h

答案:错误

【图片】上图是一P型单臂CNTFET，下列哪种说法正确：

答案:CNT是FET的导电沟道_CNT中的载流子是弹道传输

从下面选出产生单电子效应的两个必备条件：

答案:EckBT_RTRk

采用AAO模板制备纳米颗粒，若模板的孔径偏小，可用进行腐蚀扩孔。

答案:磷酸##%_YZPRLFH_%##H3PO4

以紫外压印法制备纳米图形，可采用金属模板。

答案:错误

关于自组装，下列哪种说法正确：

答案:人的作用是设计产物并启动过程_自组装的驱动力包括氢键、范德瓦尔斯力等短程力

关于湿法刻蚀和干法刻蚀，下列那种说法正确：

答案:干法比湿法的保真度好_湿法比干法的选择性好

在RIE、等离子体刻蚀、离子铣三种干法刻蚀中，各向异性效果比较：

答案:离子铣RIE等离子体刻蚀

分辨率为10000条（线）/mm的光刻，其特征线宽是nm

答案:50

异质外延制备单晶纳米膜，可采用下列哪种工艺方法：

答案:MBE_CBE

关于ALD下列那种说法正确：

答案:可以精确控制膜厚到原子尺度。_生成膜有良好的台阶覆盖特性。

从下面选出正确的光刻工艺流程

答案:底膜处理→涂胶→前烘→曝光→显影→坚膜→刻蚀→去胶

关于流动油面冷凝法下面那种说法对：

答案:是气相制备方法_可以是纯物理方法。

下列哪些方法属于液相方法

答案:水热法_沉淀法_溶胶凝胶法

扫描电子显微镜在扫描样品时，通过电子束与样品相互作用激发出各种物理信号，主要是通过发射出的——信号来观察样品的表面形态。

答案:二次电子

扫描电子显微镜相较于透射电子显微镜制样方法简单，且对样品没有要求。

答案:错误

原子力显微镜属于——显微技术，其工作模式包括——

答案:扫描探针，接触模式和非接触模式_扫描探针，轻敲模式

扫描隧道电子显微镜具有——工作模式

答案:恒高度_恒电流

透射电子显微镜和扫描电子显微镜是利用——作为照明源

答案:聚焦电子束

半导体量子点与其体材的能带有所不同：

答案:禁带宽度展宽了_导带为分立能级_导带、价带均为分立能级

关于纳米技术，请从下面选出准确的说法：

答案:是指在纳米尺度起关键作用的技术。_是制备大小在纳米尺度而且有特定功能新物质的技术。

TiO2纳米半导体粒子可用于除甲醛。这是应用了纳米半导体粒子的性质。

答案:光催化

超微颗粒的熔点上升。

答案:错误

半导体量子点与其体材的能带有所不同：

答案:导带、价带均为分立能级_禁带宽度展宽了_导带为分立能级

关于纳米技术，请从下面选出准确的说法：

答案:是制备大小在纳米尺度而且有特定功能新物质的技术。_是指在纳米尺度起关键作用的技术。

关于超微颗粒表面能高的原因，请在下面选出一个错误说法：

答案:颗粒内原子有大量剩余的不饱和化学键。

单电子器件通常需要在低温下工作，若要提高其工作温度，可以通过量子点的尺度来实现。

答案:减小##%_YZPRLFH_%##缩小

当表征物体表面起伏比较大时，STM适用的工作方式是______模式

答案:恒电流##%_YZPRLFH_%##恒流

AAO模板通常采用电化学方法制备。

答案:正确

光刻工艺流程为：底膜处理→前烘→涂胶→曝光→显影→坚膜→刻蚀→去胶

答案:错误

超微颗粒表面能高的原因是各颗粒的内部原子有大量剩余不饱和化学键的缘故。

答案:错误

关于自组装，下列哪种说法正确：

答案:自组装的驱动力包括氢键、范德瓦尔斯力等短程力_人的作用是设计产物并启动过程

石墨烯是___键形成的单层二维晶体。

答案:sp2杂化C-C