宏盛微半导体AGM318D VER2.66.pdf

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2025-03-18 发布于广东
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AGM318D

●GeneralDescription

ProductSummary

TheAGM318Dcombinesadvancedtrench

MOSFETtechnologywithalowresistance

packagetoprovideextremelylowRDS(ON).BVDSSRDSONID

Thisdeviceisidealforloadswitchandbattery30V18mΩ20A

protectionapplications.

TO-252PinConfurao

●Featuresigtin

■AdvancehighcelldensityTrenchtechnology

■LowRDS(ON)tominimizeconductiveloss

■LowGateChargeforfastswitching

■LowThermalresistance

■100%Avalanchetested

■100%DVDStested

●Application

■MB/VGAVcore

■SMPS2SynchronousRectifier

■POLapplication

■BLDCMotordriver

PackageMarkingandOrderingInformation

DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity

AAGM318DAGM318DTO-252330mm16mm2500

Table1.AbsoluteMaximumRatings(TA=25)

℃

SymbolParameterRatingUnits

VDSDrain-SourceVoltage(VGS0V）30V

VGSGate-SourceVoltage(VDS0V)±20V

aCur(Noe1)tA

Drinrent-Conti2)

nuous(Tc5℃

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