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宏盛微半导体AGM312AP VER2.71.pdf

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    AGM312AP

    ●GeneralDescription

    Prdu

    octSma

    TheAGM312APcombinesadvancedtrenchMOSFETumry

    technologywithalowresistancepackato

    geprovide

    extremelylowRDS(ON).

    ThisdeviceisidealforloadswitchandbatteryprotectionBVDSSRDSONID

    applications.

    30V9mΩ18A

    ●Features

    ■AdvancehighcelldensityTrenchtechnology

    PDFN3.3*3.3PinConfuation

    igr

    ■LowRDS(ON)tominimizeconductiveloss

    ■LowGateChargeforfastswitching

    ■LowThermalresistance

    ■100%Avalanchetested

    ■100%DVDStested

    ●Application

    ■MB/VGAVcore

    nd

    ■SMPS2SynchronousRectifier

    ■POLapplication

    ■BLDCMotordriver

    PackagM

    earkingandOrdern

    igInformation

    arkngcageSQuanityt

    iPakelz

    cMcciew

    evieepedh

    DeviDeeDeviRTait

    AGM312APAGM312APPD3

    FN.3*3.3330mm

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