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Slide8-1Chapter8BipolarJunctionTransistorsSince1970,thehighdensityandlow-poweradvantageoftheMOStechnologysteadilyerodedtheBJT’searlydominance.BJTsarestillpreferredinsomehigh-frequencyandanalogapplicationsbecauseoftheirhighspeedandhighpoweroutput.Question:Whatisthemeaningof“bipolar”?ModernSemiconductorDevicesforIntegratedCircuits(C.Hu)
Slide8-28.1IntroductiontotheBJTICisanexponentialfunctionofforwardVBEandindependentofreverseVCB.ModernSemiconductorDevicesforIntegratedCircuits(C.Hu)NPNBJT:N+PNECBVBEVCBEmitterBaseCollector
Slide8-3Common-EmitterConfigurationQuestion:WhyisIBoftenpreferredasaparameteroverVBE?ModernSemiconductorDevicesforIntegratedCircuits(C.Hu)
Slide8-4ModernSemiconductorDevicesforIntegratedCircuits(C.Hu)8.2CollectorCurrenttB:baserecombinationlifetimeDB:baseminoritycarrier(electron)diffusionconstantBoundaryconditions:N+PNemitterbasecollectorx0WdepletionlayersB
Slide8-5ItcanbeshownGB(s·cm4)isthebaseGummelnumber8.2CollectorCurrentni2NB-------eqVBEkT¤1–()n￠n￠0()-------------011x/x/WBModernSemiconductorDevicesforIntegratedCircuits(C.Hu)
Slide8-6Atlow-levelinjection,inverseslopeis60mV/decadeHigh-levelinjectioneffect:8.2.1HighLevelInjectionEffect00.20.40.60.81.010-1210-1010-810-610-410-2VBEIC(A)IkF60mV/decadeAtlargeVBE,WhenpNB,inverseslopeis120mV/decade.ModernSemiconductorDevicesforIntegratedCircuits(C.Hu)
Slide8-78.3BaseCurrentSomeholesareinjectedfromtheP-typebaseintotheN+emitter.Theholesareprovidedbythebasecurrent,IB.pEnBWEWB(b)emitterbasecollectorcontactIEICelectronflow–+holeflowIB(a)contactModernSemiconductorDevicesforIntegratedCircuits(C.Hu)
Slide8-8IsalargeIBdesirable?Why?8.3BaseCurrentemitterbasecollectorcontactIEICelectronflow–+holeflowIB(a)contactModernSemic
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