一种射频LDMOS晶体管及其制造方法 .pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN104992978A

(43)申请公布日2015.10.21

(21)申请号CN201510290509.9

(22)申请日2015.06.01

(71)申请人电子科技大学;东莞电子科技大学电子信息工程研究院

地址611731四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

(72)发明人邓小川梁坤元甘志萧寒李妍月张波

(74)专利代理机构成都点睛专利代理事务所(普通合伙)

代理人葛启函

(51)Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

一种射频LDMOS晶体管及其制造

方法

(57)摘要

本发明属于半导体技术领域，特别

涉及一种射频LDMOS晶体管及其制造方

法。本发明的技术方案，主要为将传统的

LDMOS法拉第罩设置为多段结构，分段

后的金属相互独立，从而使靠近漏端处的

金属块浮空，能够改善浮空后金属与其下

面漂移区的电势差，从而降低靠近漏端边

缘的电场峰值，提高击穿电压。本发明的

有益效果为，能够有效改善N型轻掺杂漂

移区的电场分布，使之更加均匀，从而可

以在保持击穿电压不变条件下提高漂移区

掺杂浓度，降低导通电阻。本发明尤其适

用于射频LDMOS晶体管及其制造。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

2018-11-23授权授权

2015-11-18实质审查的生效实质审查的生效

2015-10-21公开公开

权利要求说明书

1.一种射频LDMOS晶体管，包括P+衬底(1)、位于P+衬底(1)下表面的金属电极

(14)和位于P+衬底(1)上表面的P型外延层(2)；所述P型外延层(2)

上层具有相互独立的P型阱区(5)和N-漂移区(6)，其远离N-漂移

区(6)的一端具有P+sinker(8)；所述P型阱区(5)上层具有与

P+sinker(8)相连的源极(7)；所述N-漂移区(6)上层远离P型阱区(5)

的一端具有漏极(9)；所述P+sinker(8)的上表面及部分源极(7)的上表面具有

源极金属(12)；所述漏极(9)的上表面具有漏极金属(13)；在源极金属(12)与

漏极金属(13)之间具有二氧化硅介质层(10)；所述二氧化硅介质

层(10)中具有由栅氧化层(3)和多晶硅栅(4)构成的栅极结构，所述栅

氧化层(3)位于P型阱区(5)的上表面，多晶硅栅(4)位于栅氧化层(3)

的上表面；位于栅极结构顶部及侧面的二氧化硅介质层(10)具有向上

凸起的结构，凸起结构靠近漏极金属(13)的上表面及侧面具有金属层(11)，所述金

属层(11)在二氧化硅介质层(10)上表面向漏极金属(13)方向延伸形成法

拉第罩；其特征在于，所述法拉第罩位于二氧化硅介质层(10)

上表面部分的金属为多段结构。

2.根据权利要求1所述的一种射频