基于FTIR技术的4H-SiC同质外延材料的测试的开题报告 .pdfVIP

基于FTIR技术的4H-SiC同质外延材料的测试的开

题报告

一、课题背景与研究内容

硅碳化物(SiC)材料具有高硬度、高热稳定性、高击穿强度和宽带隙

等优点，被广泛应用于高功率半导体器件、高功率电子器件和高温电子

器件等领域。在SiC材料的制备中，外延生长技术是一种重要的制备方法。

同质外延技术是一种制备高质量SiC材料的有效方法，该技术通过在SiC

单晶衬底上生长相同晶格常数、材料成分与单晶相同的外延薄膜，实现

高质量SiC材料的制备。因此，同质外延技术被广泛应用于SiC材料制备

中。

FTIR技术是一种非常有效的SiC同质外延材料材料测试方法。该技

术具有无需样品准备、测试速度快、测试结果准确等特点。因此，本课

题将采用FTIR技术对4H-SiC同质外延材料进行测试，包括材料的晶体

结构、材料的物理性质、材料的光学性质等方面的测试分析。

二、研究意义

1.对4H-SiC同质外延材料进行测试分析，对深入了解材料的物理性

质、光学性质等方面具有重要意义；

2.通过对4H-SiC同质外延材料的测试，可以为材料的制备提供详细

的数据支持，从而提高SiC材料的制备精度和合格率；

3.本课题采用的FTIR技术具有无损测试、测试速度快等特点，可以

为SiC同质外延材料的测试提供新的思路和方法。

三、研究方法

1.准备4H-SiC同质外延材料样品；

2.采用FTIR技术对样品进行测试，包括样品的晶体结构、物理性质、

光学性质等方面的分析；

3.对测试结果进行分析和处理，深入了解样品的各项性质和测量误

差。

四、研究方案

1.材料的制备

采用低压化学气相沉积(LowPressureChemicalVaporDeposition,

LPCVD)技术在SiC单晶衬底上生长外延薄膜，得到4H-SiC同质外延材料

样品。

2.测试方法选择

FTIR技术是测试SiC同质外延材料的有效方法，本课题将采用该技

术对样品进行测试。

3.测试内容

测试内容主要包括：

(1)样品的晶体结构测试；

(2)样品的物理性质测试；

(3)样品的光学性质测试。

4.数据分析

对测试结果进行数据分析和处理，深入了解样品的各项性质和测量

误差，得到科学可靠的测试结果。

五、预期成果

1.对4H-SiC同质外延材料的晶体结构、物理性质、光学性质等方面

进行测试分析；

2.为SiC材料的制备提供详细的数据支持，提高SiC材料的制备精度

和合格率；

3.采用FTIR技术无损测试方法为SiC同质外延材料的测试提供新的

思路和方法。