《GBT 24581-2022硅单晶中III、V族杂质含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法》必威体育精装版解.pptx

《GB/T24581-2022硅单晶中III、V族杂质含量的测定低温傅立叶变换红外光谱法》必威体育精装版解读;目录;目录;目录;目录;目录;目录;PART;;;;PART;利用物质分子振动吸收红外光的特性，对物质进行定性和定量分析。;;;PART;III、V族杂质在硅单晶中引入施主或受主能级，改变材料的导电类型及电阻率，影响器件的电学性能。;;通过标准规范测定方法，确保硅单晶中III、V族杂质的准确测定，从而提高产品质量和可靠性。;PART;;傅立叶变换红外光谱法具有极高的灵敏度，能够检测到极低浓度的杂质。;;PART;;样品纯度;PART;在硅中最常见的III族杂质元素，具有受主能级，可用于p型掺杂。;硅中最常见的V族杂质元素，具有施主能级，可用于n型掺杂。;PART;;;测定步骤;;PART;;采用低温傅立叶变换红外光谱仪进行测量。;对测量数据进行校正，消除仪器误差和背景干扰。;;PART;灵敏度要求高;采用高精度、高灵敏度的检测仪器，如低温傅立叶变换红外光谱仪，以满足砷(As)杂质的检测要求。;PART;;;;;PART;镓杂质在硅单晶中引入深能级，影响材料的电学性能，降低载流子迁移率和寿命。;;PART;铟在硅单晶中的浓度极低，通常在ppb（十亿分之一）级别，对检测方法的灵敏度要求极高。;高灵敏度;样品制备;PART;;;样品制备过程中的污染和损伤会影响测量结果的准确性，应严格控制制备过程。;PART;;低温傅立叶变换红外光谱法;适用范围;;PART;;控制检测过程;促进技术创新和行业发展;与国际接轨;PART;红外光谱法能够精准地检测硅单晶中的III、V族杂质含量，为材料质量控制提供重要依据。;定量分析;;PART;硅单晶;III、V族元素是指元素周期表中第IIIA族、第VA族元素，如硼、铝、磷等。;;PART;低温傅立叶变换红外光谱法;杂质含量限值;原材料检验;PART;;;;;PART;确保测试过程中光源强度、波长等参数保持稳定，提高测量准确性。;光谱特性;PART;光的透过性;物质吸收光;透射光谱和吸收光谱可以通过数学关系相互转换，透射率可以转换为吸光度，反之亦然。;PART;;;;;PART;利用物质分子对红外光的吸收特性，通过测量吸收峰的强度确定物质含量。;;光源稳定性;PART;定义;拓宽测量范围;温度、湿度、气压等测量条件的变化会影响杂质的响应值，从而影响校??因子的准确性。;PART;;;测量方法;PART;提高测量精度;液氦冷却;样品冷却至15K以下的注意事项;PART;随着温度的升高，氧吸收谱带的位置会向长波长方向移动。;拓宽应用范围;;PART;;;白光强度对稳定性的影响;;PART;干扰因素;水蒸气吸收谱的消除;PART;硬度与脆性;;;;PART;热施主吸收谱线的产生;热施主吸收谱线的消除;PART;光线在硅单晶表面和内部界面上发生折射，导致信号干扰。;样品制备;PART;;精确控制测量环境的温度，避免温度波动对测量结果的影响。;数据筛选;PART;;;PART;;;数据准确性评估;PART;不同元素对红外光谱的吸收特性不同，需选择合适的测量波段。;干扰因素;半导体材料;PART;;选用高纯度的硅单晶样品，避免杂质对谱线产生干扰；样品表面应光滑、平整，以减少散射光对谱线的影响。;;PART;;;;误差纠正;PART;;;产品性能评估;PART;西门子法;;优点;PART;;;;PART;将硅单晶样品冷冻至低温状态，以便进行红外光谱测量。;温度范围;PART;样品架设计应确保在测量过程中稳定不动，避免因振动或位移导致的测量误差。;低背景材料;样品架采用模块化设计，方便拆卸和更换不同部件，提高使用灵活性。;PART;;光强分布;光源稳定性是确保测量准确性的关键因素之一，本标准对光源的稳定性提出了严格要求。;PART;仪器分辨率越高，能够分辨的最小波长差越小，测量精度越高。;光源;;PART;确保测量结果的准确性;千分尺的精度指标;PART;;;PART;根据样品硬度和特性，选择适当的切割工具和刀片，以避免样品损伤。;根据样品表面粗糙度和抛光要求，选择合适的抛光剂和磨料。;PART;;;;;PART;;;;;对采集到的光谱数据进行预处理，包括去噪、滤波和基线校正等。;校正光谱数据的基线，以消除背景信号的影响。;;THANKS