HYG850PD02KA1C6+datasheet+V1.0深圳恒锐丰科技.pdf

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HYG850PD02KA1C6

DualP-ChannelEnhancementModeMOSFET

FeaturePinDescription

S2G2D1

-20V/-3.5A

RDS(ON)=65mΩ(typ.)@VGS=-4.5V

D2D1

RDS(ON)=87mΩ(typ.)@VGS=-2.5V

RDS(ON)=128mΩ(typ.)@VGS=-1.8V

ReliableandRuggedPin1S1G1D2D2G1S1

HalogenFreeandGreenDevicesAvailable

DFN2*2-6L

(RoHSCompliant)

Applications

SwitchingApplication

LithiumbatteryprotectboardDualP-ChannelMOSFET

OrderingandMarkingInformation

PackageCode

C6C6:DFN2*2-6L

850PD2

XYMXXNDateCode

XYMXXN

Note:HUAYIlead-freeproductscontainmoldingcompounds/dieattachmaterialsand100%mattetinplateTermi-

Nationfinish;whicharefullycompliantwithRoHS.HUAYIlead-freeproductsmeetorexceedthelead-Freerequire-

mentsofIPC/JEDECJ-STD-020forMSLclassificationatlead-freepeakreflowtemperature.HUAYIdefines“Green”

tomeanlead-free(RoHScompliant)andhalogenfree(BrorCldoesnotexceed900ppmbyweightinhomogeneous

materialandtotalofBrandCldoesnotexceed1500ppmbyweight).

HUAYIreservestherighttomakechanges,corrections,enhancements,modifications,andimprovementstothispr

-oductand/ortothisdocume

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