08+HYG013N04LR1P+datasheet+V1.0深圳恒锐丰科技.pdf

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HYG013N04LR1P/BMicroelectronics

N-ChannelEnhancementModeMOSFET

FeaturePinDescription

40V/320A

RDS(ON)=1.5mΩ(typ.)@VGS=10V

RDS(ON)=1.7mΩ(typ.)@VGS=4.5V

100%AvalancheTested

100%DVDS

ReliableandRugged

HalogenFreeandGreenDevicesAvailable

TO-220FB-3LTO-263-2L

(RoHSCompliant)

Applications

Switchingapplication

Li-batteryprotectionS

SingleN-ChannelMOSFET

OrderingandMarkingInformation

PackageCode

PBP:TO-220FB-3LB:TO-263-2L

HYG013N04HYG013N04

XYMXXXXXXXYMXXXXXXDateCode

XYMXXXXXX

Note:HUAYIhalogenfreeproductscontainmoldingcompounds/dieattachmaterialsand100%mattetinplateTermi-

Nationfinish;whicharefullycompliantwithRoHS.HUAYIhalogenfreeproductsmeetorexceedthehalogenfree

require-mentsofIPC/JEDECJ-STD-020forMSLclassificationathalogenfreepeakreflowtemperature.HUAYI

defines“Green”tomeanhalogenfree(RoHScompliant)andhalogenfree(BrorCldoesnotexceed900ppmby

weightinhomogeneousmaterialandtotalofBrandCldoesnotexceed1500ppmbyweight).

HUAYIreservestherighttomakechanges,correc

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