透射电子显微分析 (4).ppt

*IonpolishedcommercialAlalloyAl-CumetallizationlayerthinnedonSisubstrate应用举例－金属组织观察.8μm1μm第63页,共84页，星期六，2024年，5月*应用举例－Si纳米晶的原位观察第64页,共84页，星期六，2024年，5月*大肠杆菌透射电镜照片申克孢子丝菌透射电镜照片第65页,共84页，星期六，2024年，5月*高岭石蒙脱石纤蛇纹石叶蛇纹石第66页,共84页，星期六，2024年，5月*偏离参量s对位错线像宽的影响（a）明场像，s?0；（b）明场像，s略大于零；（c）g/3g弱束暗场像第67页,共84页，星期六，2024年，5月*不锈钢中的网形位错长石中的位错第68页,共84页，星期六，2024年，5月*(a)层错面位置及衬度示意图(b)层错明场像(BF)及暗场像(DF)层错的衬度特征第69页,共84页，星期六，2024年，5月*第70页,共84页，星期六，2024年，5月*NiAl（7）合金中的析出相（a）明场像，g=220（b）中心暗场像，g=110（c）SADP（选区衍射谱），B//[]（c）SADP，B//[010]]（c）SADP，B//[010]第71页,共84页，星期六，2024年，5月*二、TEM的其它功能简介原位观察，会聚束衍射分析，高分辨电子显微术。1．原位观察利用相应的样品台，在TEM中可进行原位实验(insituexperiments)。如：利用加热台加热样品观察其相变过程利用应变台拉伸样品观察其形变和断裂过程第72页,共84页，星期六，2024年，5月*250℃加热时Ge/Ag/Ge层反应前端的高分辨原位观察（a）~（d）每两幅照片间的时间间隔为8s第73页,共84页，星期六，2024年，5月*在透射电镜电子束照射下，ZrO2（2Y）陶瓷m片在t晶粒中的形核和长大过程的原位观察相对于照片（a）各照片对应的电子束照射时间分别为：（a）t=0s；（b）t=10s；（c）t=60s；（d）t=140s；（e）t=350s；（f）t=1200s第74页,共84页，星期六，2024年，5月*TiAl合金?相中孪生过程的原位拉伸观察从（a）到（b）到（c）应变量逐渐增大第75页,共84页，星期六，2024年，5月*3．高分辨电子显微术衍衬成像：利用电子束振幅变化的单束(透射束或某一衍射束)成像，可用于揭示≥1.5nm的结构细节。高分辨电子显微像：利用相位衬度，即利用电子束相位的变化，由两束及以上电子束相干成像。在电子显微镜分辨率足够高的情况下，所用的电子束越多，图像的分辨率越高。相位衬度的解释相当复杂，原因是它对许多因素敏感，如样品的厚度、取向或散射因子的微小变化以及物镜在聚焦和像差上的变化都会引起图像变化。然而，也正是由于这个原因，相位衬度可以用于薄样品的原子结构成像。高分辨像成像时，往往在不同的离焦量下都能获得清晰的图像，但图像的细节随离焦量而变化。为了使图像尽可能地反映物质的结构，并不是在正焦状态下拍摄，而是需要一定的欠焦量。第76页,共84页，星期六，2024年，5月*SiN中晶界非晶层(厚度1nm左右)半导体材料中CdTe的晶格缺陷晶格像结构像双束成像三束成像第77页,共84页，星期六，2024年，5月*一些包含容易解释信息的晶格像尖晶石颗粒与橄榄石基体界面的晶格像InAsSb/InAs异质结上排列的位错Ge中晶界的原子尺度小刻面测自观察显示的表面上的小刻面第78页,共84页，星期六，2024年，5月*(a)PS微球(b)PS/TiO2核壳粒子定向沉积法制备的PS/TiO2核壳粒子的TEM[31]第79页,共84页，星期六，2024年，5月*(a)Ni纳米粒子；(b)Ni/PS核壳粒子；(c)Ni/PS/TiO2核壳粒子Hong等制备的Ni/PS/TiO2核壳粒子的TEM第80页,共84页，星期六，2024年，5月*Song等人制备的PSA/Ag/TiO2的TEM照片(a)PS纳米微球；(b)PSA/Ag核壳粒子；(c)PSA/Ag/TiO2粒子第81页,共84页，星期六，2024年，5月*Co3O4在硅树脂里的分散第82页,共84页，星期六，2024年，5月*纳米球的微观结构第83页,共84页，星期六，2024年，5月感谢大家观看第84页,共84页，星期六，2024年，5月*3.