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双模双待SIM卡驱动单芯片解决方案-技术

方案

前言

随着3G的推广和普及，手机市场也步入一个多模时代。中

国2G、3G网络并存的状况不可避免，为了使用原来的手机号，并避

免带两个手机在身上的麻烦，双模或多模手机将成为市场过渡阶段的

必然选择。

双模双待手机是指一部手机可以同时使用两种不同制式的

卡，且两张卡可以同时在网，使用两个网络的业务。随着国内3G牌

照的发放，电信采用CDMA2000，联通采用WCDMA，移动则将采用

TD-SCDMA，加上原有的GSM和CDMA，今后国内会有5种不同的手

机网络制式并存。面对不同制式的网络和不同运营商推出的各种服务，

双模双待手机这一细分市场在国内多种网络制式并存的现状下，将会

保持较快的增长。另外在国外市场，如印度、*、欧美等手机市场中

双模双待手机也有很大的增长空间，这些国家存在多家运营商和同一

运营商经营两个网络的现象，不同的网络有不同的资费和增值服务业

务，双模双待手机能够满足消费者对不同运营商以及不同业务的服务

需求。

双模双待的发展过程

SIM卡接口是由一个电源线（VSIM）和三个信号线(SCLK、

SRST、SIO)组成的，VSIM提供SIM卡电源供电，SCLK为时钟，SRST复

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位用，SIO传递数据。电源线要求电阻率低，

要有驱动能力，SIM卡内部峰值电流能高达50mA，信号线

要求足够带宽传输数据，高速的SIM卡协议要求SCLK的时钟能达到

12MHz，并要求有抗干扰的能力。

图1现有的双模双待方案

双模双待兴起时，市场上主要是以GSM为主的双模双待手

机，一个现有的方案是采用AW6302加两个四路模拟开关实现两个

卡槽任意放G卡或C卡，即G/C+G/C，如图1所示。这种方案的缺

点在于：

1.模拟开关在信号传输通路上插入了阻性和容性负载，这会

影响和SIM卡接口的安全性和可靠性。通常四路低电阻的模拟开关

其导通电阻Ron会小于1ohm，但是其寄生的电容会高达100pF，

而高带宽的四路模拟开关其寄生电容能控制住20pF以内，但其导通

阻抗又会上升到10ohm的量级，通过模拟开关连接SIM卡接口的信

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号线如SCLK、SIO、SRST在受到射频干扰的时候，更容易产生错误。

SIM接口的3根信号线对模拟开关的要求是小寄生电容，而电源线

的要求是小电阻，这样无论选择哪种模拟开关都很难满足要求。

2.需要两个四路模拟开关及占用了PCB的面积。

3.需要两个GPIO资源。G+C的手机系统资源本身就很紧张，

这样的设计就让系统资源更加紧张了。随着CDMA的发展，特别

是3G的普及，市场对以CDMA或3G为主的双模双待手机的需求

也逐渐增大，现在3G智能