GBT 30116-2013 半导体生产设施电磁兼容性要求.docxVIP

ICS31.550L95

中华人民共和国国家标准

GB/T30116—2013

半导体生产设施电磁兼容性要求

Requirementsforsemiconductormanufacturingfacilityelectromagneticcompatibility

2013-12-17发布2014-04-15实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会

发布

GB/T30116—2013

前言

本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本标准由全国半导体设备与材料标准化技术委员会(SAC/TC203)提出并归口。

本标准起草单位：工业和信息化部电子工业标准化研究院、安徽鑫阳电子有限公司。本标准主要起草人：黄英华、谭建国、刘军、周历群、钟华、冯亚彬。

GB/T30116—2013

半导体生产设施电磁兼容性要求

1范围

本标准规定了为保证半导体生产设施与用于生产半导体器件的设备能一起可靠运行的电磁兼容性(EMC)要求。

本标准适用于生产半导体器件的设施和设备，这些设施和设备涵盖所有的设施警报、安全、通信与控制系统、工艺设备、测量设备、自动化设备以及信息技术设备。

本标准不适用于集成电路的封装与功能测试所采用的设备和设施，也不适用于可能在半导体生产过程中产生的静电。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其必威体育精装版版本(包括所有的修改单)适用于本文件。

GB9254信息技术设备的无线电骚扰限值和测量方法

GB/T17626.2—2006电磁兼容试验和测量技术静电放电抗扰度试验

GB/T17626.3-2006电磁兼容试验和测量技术射频电磁场辐射抗扰度试验

GB/T17626.4—2008电磁兼容试验和测量技术电快速瞬变脉冲群抗扰度试验GB/T17626.5-2008电磁兼容试验和测量技术浪涌(冲击)抗扰度试验

GB/T17626.16--2007电磁兼容试验和测量技术0Hz～150kHz共模传导骚扰抗扰度试验

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。

3.1

电磁兼容性electromagneticcompatibility;EMC

电子设备在电磁干扰(EMI)和静电放电(ESD)环境中正常工作且不对该环境中的任何事物构成不能承受的电磁干扰的能力。

3.2

电磁干扰electromagneticinterference;EMI

电磁波谱的非离子化(亚光学)部分中任何可能会引起电子设备中不希望有的反应的电磁信号。

3.3

静电放电electrostaticdischarge;ESD

具有不同静电电位的物体相互靠近或直接接触引起的电荷转移。

3.4

超低频磁场extremelylowfrequencymagnetic;ELF

设备和设施内电流产生的超低频(约为1Hz～1kHz)磁场。

3.5

敏感设备sensitiveequipment

任何性能会受到ELF的不利影响的设备。

2

GB/T30116—2013

注：例如扫描电子显微镜(SEM)。3.6

受试设备equipmentundertest;EUT

进行电磁兼容试验的设备。3.7

端口port

指定设备与外部电磁环境的特定接口(见图1)。

交流电源端口直流电源端口

工艺、测量端口信号端口

接地端口

图1

3.8

机箱端口enclosureport

设备的物理边界。电磁场通过该边界辐射或照射。

4要求

4.1性能要求

以下是评价半导体制造中所用不同等级的设备和电子系统的电磁兼容性的通用准则。在电磁兼容试验中，任何类型的故障或失常都应记录在试验报告中。半导体生产设施电磁兼容性分为A、B、C三个等级，判据如下：

性能判据A:设备在试验期间和试验后应满足功能或性能要求。对于工艺设备，所有处理结果都应符合相应要求。不应出现任何安全隐患和错误警报。

性能判据B:设备在试验后应满足功能或性能要求，在按照制造商指定等级的试验期间，出现功能暂时丧失或性能暂时降低，但不应改变运行状态或丢失储存的数据，且设备性能或功能可自行恢复。

性能判据C:设备功能暂时性丧失，但可以自动或者通过操作控制装置可以恢复。控制系统或警