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本文首先介绍了二维GeP晶体的基本信息，然后详细描述了基于密度泛函理论的第一性原理如何用于研究二维GeP晶体的结构和光电性质最后，通过对多种光的吸收和发射数据的分析，文章结论认为二维GeP晶体为直接带隙半导体，且其光吸收谱为绿色光区，并通过比较实际测试结果与理论预测，提出了GeP二维晶体的光电性质与能带结构的关系
目录
TOC\o1-3\h\z\u1绪论 2
2选题背景 3
2.1GeP晶体的简介 3
2.1.1GeP晶体 3
2.1.2GeP单晶及二维GeP纳米片的制备的制备方法 3
2.1.3二维GeP纳米片空气稳定性 4
2.2GeP材料的光电应用 6
3理论方法和工具 7
3.1密度泛函理论 7
3.2半导体材料中的重要概念 7
3.2.1晶体结构及其重要性 7
3.2.2电子能带结构和态密度 8
3.2.3介电常数和吸收光谱 8
3.3建模和计算软件介绍 9
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