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功能陶瓷;;4.1电功能陶瓷;对于传统陶瓷,人们利用陶瓷材料的电性能主要是其绝缘性能;而对于先进陶瓷材料,除了其绝缘性能外,人们更关心的是陶瓷材料的导电能力。目前高温超导氧化物的导电能力已超过金属,得到应用的先进陶瓷材料的电导率覆盖了从良导体到绝缘体的范围。;陶瓷导电特点;在本征半导体中不存在自由电子,但价带与导带间的禁带宽度比较小,价带上的电子接受了足够的能量时,可以从价带跃迁到导带上,引起电的传导。对于半导体,电导率与温度间有以下关系:;一般而言,陶瓷材料中的带电粒子可能有:正离子、负离子、电子和空穴。研究陶瓷材料的导电性时,需要引入以下参数:带电粒子的种类(正离子、负离子、电子、空穴)、带电粒子的浓度ni和每个粒子的带电量Zie(Z为粒子带电价态)、在所加电场E下某种带电粒子(载流子)的漂移速度vi,以及加电场后这种带电粒子的电流密度ji。电流密度j定义为单位时间内通过单位面积迁移的电荷量。ji可由下式给出:;(4-4);每种载流子对总电导贡献的分数为:;几种化合物中正负离子和电子或空穴的迁移数;传统硅酸盐陶瓷、氧化物陶瓷是离子晶体。在离子晶体中,离子导电和电子导电都存在。但一般情况下,以离子导电为主,电子导电很微弱。然而,材料含变价离子,生成非化学计量化合物或引入不等价杂质时,将产生大量自由电子或空穴,电子导电增强,称为半导体。离子晶体热缺陷造成的离子电导称为本征离子电导,杂质造成的离子电导称为杂质电导。
杂质载流子的电导活化能比正常晶格上离子的要低得多。在低温时,即使杂质数量不多也会造成很大的电导率。在低温时,杂质电导其主导作用,高温时本征电导起主导作用。
玻璃基本上是离子电导,电子电导可忽略。玻璃结构较松散,电导活化能比晶体低,其电导率比相同组成的晶体大。陶瓷通常由晶相和玻璃相组成,其导电性在很大程度上决定于玻璃相。;缺陷对陶瓷导电的影响;掺杂可能改变陶瓷材料的导电性。
例如在ZnO中掺杂Al3+可以增加材料的导电性,原因是当三价的铝替代了二价的锌后,原先二价锌的位置上变成了三价的离子。为??保持电中性,使得Al3+附近的锌变成了一价,而一价锌是不稳定的,又会变成二价的锌,同时放出一个电子,增加了材料的导电性。;离子电导行为;离子导电常存在明显的各向异性。
例如β-Al2O3在c方向上的电导比在其他方向上大许多,这是由于离子通道存在明显的方向性。;离子电导率与温度T的关系满足Arrhenius关系:;可以通过掺杂来改变陶瓷材料的电导率和电导激活能。
例如在ZrO2-M2O3(M=Y、Sc、In、Gd等)体系中,随掺杂正离子半径的减小,材料的电导率增加。;如果掺杂源相同但掺杂浓度不同,材料电导率的极大值对应了一定的掺杂浓度。;离子导体;由于电子迁移率比离子迁移率高几个数量级,而快离子导体中的导电粒子为离子,因此材料中的电子载流子浓度几乎可忽略;
温度降低时,晶体结构可从无序变为有序,离子电导率下降;;重要的快离子导体有以下三类:;具有β-Al2O3结构的氧化物;氟化钙结构氧化物;离子型导体的应用;高温燃料电池示意图;燃料电池的分类;电子电导;陶瓷材料中的电子导电从本质上说有两类:一类是材料本身能带中的电子引起的,如过渡金属氧化物VO、TiO、CrO2等,由于电子轨道的重叠,产生宽的未填满的d或f能带,从而引起准自由电子,形成类似金属的电导,这种情况在陶瓷材料中并不多见;另一类是由于电子或空穴的移动引起的,这是陶瓷材料中电子导电的主要原因。;陶瓷材料电子导电的三种激发过程;陶瓷电热材料的使用温度高、抗氧化,可在空气中使用。碳化硅是最早使用的陶瓷电热材料,最高使用温度为1560oC。MoSi2抗氧化性好,最高使用温度1800oC,在1700oC空气中可连续使用几千小时。其表面形成一薄层SiO2或耐热硅酸盐起保护作用。;超导体陶瓷;超导体的分类;超导陶瓷的结构特点;高温超导氧化物的载流子层和电荷库层;M-O配位多面体
由于高温氧化物超导体结构中的氧缺位和离子位置的偏离,M-O结构多面体也会明显偏离理想情况,引起M-O的键长不同,以及不同等效位置上氧的配位情况不同。
;超导陶瓷的制备;4.1.2绝缘陶瓷;电子技术中首先要求绝缘材料不导电,即要求电阻率尽量高,绝缘强度也尽量高。目前,绝缘陶瓷可分为氧化物绝缘陶瓷和非氧化物绝缘陶瓷两大系列,无论是哪种系列的绝缘陶瓷,要成为一种优异的绝缘陶瓷,它必须具备如下性能;;绝缘陶瓷的性能与特征;因为绝缘体有很大的禁带宽度,激发电子需很大的能量,在室温附近,可认为电子几乎不迁移。在此情况下,对具有足够宽度禁带区的绝缘陶瓷而
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