蚀刻详解分析和总结.docxVIP

蚀刻详解 2

一、 名词定义 2

二、 Clamping和拱形电极 3

Clamping：目的 3

Clamping：clamp设计 3

为什么使用氦气？ 3

Clamp所用的材料 3

Clamping：氦气冷却设计 4

Clamping:clamp的特性 4

Clamp漏率/clamp流量 4

Clamp降压 4

clamp相关的问题 5

拱形电极：目的 5

拱形电极：发展 5

三、 SIO2特性 5

SIO2描述 6

二氧化硅在VLSI中的应用 6

Oxide制造 6

二氧化硅选用的考虑事项 7

蚀刻蚀刻数率会在以下情况增加： 8

四、 二氧化硅蚀刻机理 8

化学蚀刻 8

物理蚀刻 9

聚合反应 9

工艺机理 各向异性 10

离子辅助蚀刻 10

SIO2蚀刻工艺机理：蚀刻速率 11

工艺机理：各向异性 11

工艺机理：选择比 12

工艺机理：均匀性 12

五、 其他 12

二氧化硅蚀刻的四个基本机理： 13

4500：低频二氧化硅蚀刻 13

3. 400KHZ Vs 13.56MHZ：间距 13

400KHZ Vs 13.56MHZ：惰性：活性、气流 13

400KHZ Vs 13.56MHZ：聚合物累积 14

4500：clamping和氦气冷却 14

CD和剖面控制/剖面各向异性 14

硅损失 14

衬底损伤/接触阻抗 14

均匀性 15

蚀刻速率/产量 15

12. 颗粒 16

13. SOFTETCH. 16

蚀刻详解

一、名词定义

均匀性（Uniformity）--相对平均值的变化，常在描述蚀刻速率，CD和淀积物厚度时使用。有以下几种百分数表示的数学定义：

平均均匀性=[(Max-Min)÷(2×AVG)]×100%中值均匀性=[(Max-min)÷(Max＋Min)]×100%3sigma均匀性=(3×STD)÷AVG×100%

选择比(Selectivity)–不同材料蚀刻速率的比值。

中止层(Stoppinglayer)–停止层，通常通过终点控制。剖面形貌(Profile)–器件结构横截面的形状和倾斜度。

VerticaSlope

Vertica

Slope

Negati

Bow

Notche

Undercutte

Undercutte

Isotropi

Trench

条宽损失(Etchbias)

过蚀刻(Overetch)–在平均膜厚完全蚀刻掉以后的额外蚀刻。补偿蚀刻速率和膜厚的不均匀性。

残留物(Residues)–在蚀刻和平版印刷过程中无意留下的物质。

微掩膜（Micro-masking）-- 由于微粒，薄膜掺杂以及残留物产生的无意留下的掩膜。

糊胶（Resistreticulation）--温度超过150摄氏度时光刻胶产生的燃烧和折皱。

纵横比（Aspectratio）--器件结构横截面深度和宽度的比率。

负载（Loading）--蚀刻速率依赖于可蚀刻表面数量，可在宏观或微观尺寸下。

纵横比决定蚀刻（AspectRatioDependentEtching/ARDE）--蚀刻速率决定于纵横比。

终点（Endpoint）--在一个蚀刻过程中，平均膜厚被蚀刻干净时的时间点。光刻胶（Photo-resist）--作为掩膜用来图形转移的光敏材料。

分辨率（Resolution）-- 用于测试光学系统把相邻的目标形成分离图像的能力。

焦深 (Depthoffocus)–在焦平面上目标能形成影像的纵向距。

关键尺寸（Criticaldimensions-CD）--一个最小特征图形的绝对尺寸，包括线宽、间隙、或者关联尺寸。

去边（Edgebeadremoval-EBR）--去胶边的过程，通常在涂胶后将溶剂喷

在硅片的背面或前边沿上。

前烘（Soft-bake）-- 在涂胶后用来去除胶溶剂的温度步骤。

曝光（Exposure）-- 把涂胶后的硅片，暴露在某种形式的射线下，以在胶上产生隐约的图像的步骤。

PEB(Post-exposure-bake)—曝光以后消除胶里的由衬底反射引起的胶里的驻波的温度步骤。

显影（Development）-- 在曝光以后分解胶产生掩膜图案的过程。

后烘(Hard-bake)—用来去除残留溶剂，增加胶的沾着力和耐腐能力，在显影后完成，可以包括DUV固胶。

化学蚀刻（Chemicaletching）--根据化学反应机理，气态物质（中性原子团）与表面反应，产物必定易挥发，也称为等离子蚀刻。

等离子增强蚀刻(Ion-enhancedetching)—单独使用中性原子团不能形成易挥发产物，具有一定能量的离子改变衬底或产