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本发明公开了一种硅基Ⅲ‑Ⅴ半导体材料分子束外延原位脱氧方法，包括以下步骤：Si衬底运送至Intro腔进行一次除气；将完成一次除气的Si衬底传送到Buffer腔进行二次除气；将完成除气的Si衬底导入Growth腔进行高温梯度脱氧。本发明可有效去除Si衬底表面的氧化物和碳化物，避免氧化层和碳化层对薄膜生长质量的不利影响；确保Si衬底表面干净，消除可能影响晶质结构的杂质或氧化物，有助于薄膜生长过程中实现更好的晶质结构，提高薄膜的结晶质量和单晶度；减小薄膜与Si衬底界面的不利影响，促进薄膜与Si衬底的更
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117524849A
(43)申请公布日2024.02.06
(21)申请号202311577685.1
(22)申请日2023.11.24
(71)申请人南通三彩集成光电
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