一种用于COTS电子系统的辐射效应量化分析方法.pdfVIP

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2024-01-27 发布于四川
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一种用于COTS电子系统的辐射效应量化分析方法.pdf

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本发明提供了一种用于COTS电子系统的辐射效应量化分析方法，所述方法包括：将电子系统原理图转换为概率图表达形式；定义电子系统中元器件的失效状态；针对元器件开展辐照试验获取辐射效应数据；获得辐射效应数据的统计模型参数；基于模拟样本获得元器件失效概率；将元器件失效概率导入电子系统的概率图表达形式；基于概率图表达形式及相应算法求解电子系统边缘概率及最大后验概率状态。本发明的优势在于：在不依赖大量整机样本的情况下，能够基于COTS辐射效应数据和失效依赖关系计算电子系统失效概率；MAP结果为电子系统RH活

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117454742A

(43)申请公布日2024.01.26

(21)申请号202311157329.4G06F18/2415(2023.01)