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本发明揭示了一种氮化钨硅单晶薄膜及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：S1、提供钨箔，并对钨箔表面进行清洁；S2、将钨箔移送至MOCVD生长腔室中，向MOCVD生长腔室中通入氮气，并对MOCVD生长腔室进行升温，对钨箔表面进行预处理；S3、向MOCVD生长腔室中继续通入氢气，并对MOCVD生长腔室进行升温至1000℃～1150℃；S4、向MOCVD生长腔室中继续通入硅烷和氨气，氨气和硅烷的气流量比为(2～10):1，在钨箔表面通过金属有机物气相沉积工艺在富氮氛围中生长得到氮化钨硅单晶薄膜。本发
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117403321A
(43)申请公布日2024.01.16
(21)申请号202311358769.6
(22)申请日2023.10.19
(71)申请人中国科学院苏州纳米技术与纳米仿
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