一种用于探究熔点尺寸效应的原位芯片样品的制备方法.pdfVIP

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2024-01-17 发布于四川
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一种用于探究熔点尺寸效应的原位芯片样品的制备方法.pdf

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本发明公开了一种用于探究熔点尺寸效应的原位芯片样品制备方法，包括：1)利用聚焦离子束‑扫描双束电镜沉积厚度为0.5um的Pt保护层；2)用离子束削除Pt保护层周围的材料；3)用离子束将沉积Pt保护层的目标样品加工成特定形状；4)将特定形状的样品用机械手转移至Grid并用离子束精修；5)将载有精修目标样品的Grid取出后固定在和芯片同一平面的45°斜托；6)用机械手将Grid上的精修样品转移至加热芯片并固定；7)用离子束剪薄并用低电压清洗。本发明在不损伤芯片的前提下制备具有高分辨率、不同厚度的样品

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117405715A

(43)申请公布日2024.01.16

(21)申请号202311251989.9

(22)申请日2023.09.26

(71)申请人兰州大学

地址730000