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本发明提供了一种氮掺杂p型透明导电MgZnOS薄膜及其制备方法和应用，该导电薄膜的制备方法，包括：制备MgZnOS陶瓷靶材；提供衬底，将衬底置于脉冲激光沉积系统真空腔体中，向腔内通入一氧化氮气体，采用脉冲激光烧蚀沉积的方法，以自制的MgZnOS陶瓷作为靶材在衬底上生长氮掺杂的MgZnOS薄膜；将得到的氮掺杂MgZnOS薄膜于温度为500℃、一氧化氮压强为7Pa的条件下退火，得到氮掺杂p型透明导电MgZnOS薄膜。本发明的制备方法，掺入Mg可以削弱Zn的d轨道与N的p轨道之间的耦合作用，造成No受
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116970906 A (43)申请公布日 2023.10.31 (21)申请号 202310149128.3 C04B 35/622 (2006.01)
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