像素结构及制备方法、图像传感器、电子设备.pdfVIP

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2023-10-25 发布于四川
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像素结构及制备方法、图像传感器、电子设备.pdf

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本发明提供一种像素结构及制备方法、图像传感器、电子设备，像素结构包括半导体衬底、光电转换区、浮动扩散区、第一传输控制门及第二传输控制门。本发明的像素结构设计中形成有两个传输控制门，即第一传输控制门和第二传输控制门，可以基于在两个传输控制门上施加电压对器件的开启关断以及传输控制门与其他部分(如浮动扩散区)之间的电场进行灵活调控，以满足器件的实际需求。当传输控制门电极与浮动扩散区之间形成有电场时，可以基于两个传输控制门对上述电场进行调制。当电荷传输晶体管的栅极与漂浮扩散有源区之间构成高电势差时，可以

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116936583 A (43)申请公布日 2023.10.24 (21)申请号 202210334857.1 H04N 25/59 (2023.01) (22)申请日 2022.03.