半导体处理装置和半导体处理系统.pdfVIP

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2023-10-04 发布于四川
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半导体处理装置和半导体处理系统.pdf

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本发明提供了一种半导体处理装置，其包括：具有支撑晶圆的第一支撑区的下腔室；具有第二支撑区的上腔室，其中当上腔室与下腔室闭合时，晶圆放置于第一支撑区和第二支撑区之间；紧邻所述上腔室和/或所述下腔室设置的温控组件，其通过调整自身的温度来调整所述上腔室和/或所述下腔室的温度；第一支撑区或第二支撑区的边缘区域形成的第一通道，第一通道提供第一空间用于流通腐蚀晶圆边缘区域的一种或多种化学流体；利用所述温控组件调整所述上腔室和/或所述下腔室的温度，从而调整所述晶圆的边缘的腐蚀宽度。这样，可以对所述晶圆的边缘的

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116844993 A (43)申请公布日 2023.10.03 (21)申请号 202210294831.9 (22)申请日 2022.03.23 (71)申请人无锡华瑛微电子技术有限公司地址