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本发明提供一种透明电极双台面低增益雪崩倍增抗辐照碳化硅探测器芯片和应用，探测器是从顶部表面垂直入射的两维阵列探测器芯片，由下往上依次包括碳化硅衬底、缓冲层、本征层、增益层、欧姆接触层；欧姆接触层顶部和/或衬底层除钝化层以外顶部设有二维材料透明电极，透明电极与所述第一电极和第二电极之间为欧姆接触；所述透明电极与所述欧姆接触层之间形成电偶极层，用于接收光子或者高能粒子并进行载流子传输。本发明解决现有碳化硅辐射探测器存在的探测效率低、漏电流大以及重离子、核反应堆粒子辐射损伤电极金属的问题；满足重离子探
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116845124 A (43)申请公布日 2023.10.03 (21)申请号 202310742624.X (22)申请日 2023.06.21 (71)申请人 中国科学院高能物理研究所 地址
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