一种减少芯片应力的加工方法.pdfVIP

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2023-10-04 发布于四川
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一种减少芯片应力的加工方法.pdf

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本发明涉及半导体技术领域，公开了一种减少芯片应力的加工方法，先在晶圆的正面形成抗蚀层，其中，所述晶圆的正面的未被所述抗蚀层覆盖的区域为待分割区域，再对形成抗蚀层后的晶圆的正面进行离子刻蚀，以刻蚀部分所述待分割区域，然后去除所述抗蚀层，接着将保护胶粘贴在晶圆的正面，再采用湿法刻蚀对晶圆的背面进行加工，以去除所述待分割区域，在本发明实施例中，先对晶圆的正面进行离子刻蚀，再对晶圆底部背面的进行湿法刻蚀，从而减薄晶圆，能够减少芯片内应力，避免了现有技术由于采用激光切割晶圆导致切口崩裂等问题。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116844951 A (43)申请公布日 2023.10.03 (21)申请号 202210302291.4 (22)申请日 2022.03.25 (71)申请人东莞新科技术研究开发有限公司地址