坩埚、组合坩埚、长晶装置和方法.pdfVIP

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2023-09-30 发布于四川
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坩埚、组合坩埚、长晶装置和方法.pdf

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本发明的实施例提供了一种坩埚、组合坩埚、长晶装置和方法，涉及半导体技术领域。坩埚包括坩埚本体，坩埚本体具有一顶部开口的腔室，腔室内设置有分隔部。分隔部将腔室分隔为上腔室和下腔室。上腔室用于容置碳化硅。坩埚本体的侧壁设置有多个与下腔室连通的通孔，以使下腔室与外部连通。其能够改善坩埚的温场分布不均匀的问题，从而提高长晶原料的利用率和改善形成重结晶的问题，与上坩埚件结合可延长长晶时间，增加生长晶锭的厚度。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116815303 A (43)申请公布日 2023.09.29 (21)申请号 202310782854.9 (22)申请日 2023.06.28 (71)申请人通威微电子有限公司地址 610