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本发明涉及半导体产品制备领域,公开了一种管式扩散氧化炉及半导体扩散氧化设备,该管式扩散氧化炉包括炉管本体;炉管本体包括沿长度方向依次分布的多个加热区段;每个加热区段的管壁上均铺设有多个主加热条,各个主加热条和炉管本体的长度方向平行;还包括在相邻两个加热区段之间的过渡区段沿管壁设置有辅加热环;辅加热环所在平面和炉管本体的长度方向垂直。本申请中在管式扩散氧化炉内各个加热区段之间的过渡区段进一步地设置辅加热环,减小相邻两个加热区段之间的过渡区段的温度存在较大幅度的下降,也即可在一定程度上提升整个管式扩
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116497459 A (43)申请公布日 2023.07.28 (21)申请号 202310487082.6 (22)申请日 2023.04.28 (71)申请人 滁州捷泰新能源科技有限公司 地址
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