形成鳍式场效应晶体管的方法.pdfVIP

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2023-07-02 发布于四川
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形成鳍式场效应晶体管的方法.pdf

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形成鳍式场效应晶体管的方法包括：蚀刻第一和第二半导体鳍以形成第一和第二凹进，外延生长n型源/漏极区，n型源/漏极区包括来自第一和第二凹进的第一部分和第二部分以及二者之间的拥有凹面顶面的第一中间部分。第一接触开口形成并延伸入n型源/漏极区，并带有一个V型底部。方法还包括：蚀刻第三和第四半导体鳍以形成第三和第四凹进，以及形成p型源/漏极区，p型源/漏极区包括来自第三和第四凹进的第三部分和第四部分以及二者之间的拥有凸面顶面的第二中间部分。第二接触开口形成并带有第二V型底部，第二V型底部的尖端指向下。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113745163 A (43)申请公布日 2021.12.03 (21)申请号 202110625083.3 (22)申请日 2021.06.04 (30)优先权数据 63/065,25