电子线路基础培训.pptxVIP

电子线路基础培训;第一节 半导体与二极管;热激发产生自由电子和空穴;空穴运动;在纯净半导体中掺入某些微量杂质，其导电能力将大大增强。;;P型半导体;;无论是P型半导体还是N型半导体都是中性的，对外不显电性。 掺入的杂质元素的浓度越高，多数载流子的数量越多。 少数载流子是热激发而产生的，其数量的多少决定于温度。;2．PN结及其单向导电性; 多子扩散;①外加正向电压（也叫正向偏置） 外加电场与内电场方向相反，内电场削弱，扩散运动大大超过漂移运动，N区电子不断扩散到P区，P区空穴不断扩散到N区，形成较大的正向电流，这时称PN结处于导通状态。;②外加反向电压（也叫反向偏置） 外加电场与内电场方向相同，增强了内电场，多子扩散难以进行，少子在电场作用下形成反向电流 IR，因为是少子漂移运动产生的， IR很小，这时称PN结处于截止状态。;3. 半导体二极管;;2．半导体二极管的伏安特性曲线;;;3．半导体二极管的主要参数;;;第二节 特殊二极管;1. 稳压管;;;;;第三节 半导体三极管;1 . 三极管的结构及类型; 半导体三极管的结构示意图如图所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。 两种类型的三极管;NPN型;为什么要这样制造呢?;2. 电流分配和电流放大作用;;;3 . 三极管的特性曲线;2．输出特性曲线;;第四节.场效应管 ;1.结构分类;;N沟道结型场效应管正常工作时，在漏-源之间加正向电压 ，形成漏极电流 。UGS0，耗尽层承受反向电压，既保证栅-源之间内阻很高，又实现对沟道电流的控制。 ;★ =0时， 对导电沟道的控制作用 ; 从零逐渐增大时， = - 逐渐减小， 靠近漏极一边的导电沟道随之变窄。 电流 随 线性增大。 增大，使 = ，漏极一边耗尽层出现 夹断区， 称 = 为预夹断。 ;转移特性曲线和输出特性曲线;;;;场效应管与三极管的比较;第二章 放大电路的基本知识;;;;;Vi=0;;;;（1）失真原因 RB很大，使得静态工作点 太低，位于三极管截止区；;;（1）失真原因 RB太小，使得静态工作点过高， ( IB太大)，位于或靠近??极管饱和区 使得 IC = ICES ；;;;;+12V;;;;;;;;;;;;;;+UCC;;;;;2.4共基极放大电路;2.静态工作点分析：;3.动态分析;小结：通过上面的学习，我们可以发现，放大电路共发射极时，Ai和Au都比较大，但是输出电压和输入电压的相位相反；共集电极时，Ai比较大，但是Au较小，输出电压与输入电压同相，并且具有跟随关系，它可作为输入级，输出级或起隔离作用的中间级；共基极时，Ai较小，Au较大，输出电压与输入电压同相，多用于宽频带放大等。;2.6 放大电路的频率特性;（2）通频带宽：上、下限频率之差，既是通频带宽。它是表征放大电路对不同频率的输入信号的响应能力。它定义为： （3）截止频率：确定原则是：某电容所确定的截止频率，与该电容所在回路的时常数呈下述关系： 二、多级放大电路的频率特性： （1）多级放大电路通频宽?? ? 多级放大电路的频宽窄于单级放大电路的频宽。它的上限频率小于单级放大器的上限频率；下限频率大与单级放大器的下限频率。 （2）上、下限频率的计算?? 上限频率满足关系式： 下限频率满足关系是：;2.7多级放大电路;一.多级放大电路组成方框图;二.级间耦合方式;+UCC;2.直接耦合：不经电抗元件, 前后级直接连接起来;3.变压器耦合：通过变压器实现级间耦合;三.多级放大器的放大倍数、输入电阻及输出电阻;[例2.6]单级放大电路如图（a）所示，Ri1=10kΩ，RO1=5.1kΩ，不接负载时AV1=-22；第二级放大电路Ri2=1.4kΩ，RO2=3kΩ，不接负载时AV2=-70。如果组成如图（b）所示的两级放大器，估算两级放大器的AV、Ri、和RO。;解：题目给出的两个单级放大器的电压放大倍数都是空载时的，当两个单级放大器级联成两级放大器时，第一级放大器相当于接了一个负载，这个负载就是第二级输入电阻。这样当两级相连时，第一级输出电压要下降;四.放大倍数的分贝表示法;第三章 直接耦合放大电路和 集成运算放大器;2、零点漂移 ui=0,输出电压偏离静态值上下 波动的现象称为零点漂移。 零点漂移主要由温度变化产生， 称为温漂。 零点漂移的逐级放大以及影响。;;1;;;;第四章 放大电路中的负反馈;;电路中反馈