一种高反射低欧姆接触电极的制备方法.pdfVIP

下载本文档

1
0
约7.68千字
约 9页
2023-06-22 发布于四川
举报
版权申诉

一种高反射低欧姆接触电极的制备方法.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明公开了一种高反射低欧姆接触电极的制备方法，所述高反射低欧姆接触电极主要应用在半导发光芯片中。制造过程中，在衬底上生长多层包括N型层、发光层和P型层的氮化物。所述高反射低欧姆接触电极是制备在P型层的氮化物之上，且为能与P型层形成良好欧姆接触的金属纳米点和Ag反射镜的双层结构。金属纳米点的存在，有效地改善了Ag反射镜的薄膜晶体质量，显著地提高了Ag反射镜的反射率，降低了半导发光芯片的工作电压，从而提升了半导发光芯片的电光转化效率。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113437194 A (43)申请公布日 2021.09.24 (21)申请号 202110575377.X (22)申请日 2021.05.26 (71)申请人南昌大学地址 33