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2023-06-22 发布于四川
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半导体存储装置.pdf

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实施方式提供能够实现高集成化的半导体存储装置。半导体存储装置具备：多个第1导电层，在第1方向上排列；第1半导体层，与多个第1导电层对置；多个第1存储单元，设置于多个第1导电层与第1半导体层的交叉部；多个第2导电层，在第1方向上排列；第2半导体层，与多个第2导电层对置，在第1方向的一端与第1半导体层连接；多个第2存储单元，设置于多个第2导电层与第2半导体层的交叉部；及多个第1接触件，在第1方向上延伸，与多个第1导电层连接。在将多个第1导电层与多个第1接触件的连接部分设为多个第1连接部时，多个第1连

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113410246 A (43)申请公布日 2021.09.17 (21)申请号 202110053452.6 H01L 27/11521 (2017.01)