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本发明提供了一种半导体复合材料,包括TiN纳米管阵列基底以及复合于所述基底表面的C3N4‑CdS复合材料层。本发明向TiO2上掺杂C3N4和CdS,从而加强其光催化的能力。通过测样发现TiN‑C3N4‑CdS的半导体复合材料,比传统的TiO2材料的光电响应提高了5倍以上。
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113421933 A (43)申请公布日 2021.09.21 (21)申请号 202110577465.3 (22)申请日 2021.05.26 (71)申请人
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