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本发明公开了基于SCR的新型凹槽结构ESD防护器件,包括衬底,衬底上形成n阱区和p阱区,n阱区的右侧与p阱区的左侧相连,n阱区上从左至右形成n阱接触n+区、p+区,p阱区上从左至右形成n+区、p阱接触p+区,n阱接触n+区接阳极电位,n+区接阴极电位,p阱接触p+区接阴极电位,p+区接阳极电位,n阱区的左上角形成第一隔离槽,n阱区上且位于n阱接触n+区和p+区之间形成第二隔离槽,n阱区和p阱区之间形成第三隔离槽,p阱区上且位于n+区和p阱接触p+区之间形成第四隔离槽,p阱区的右上角形成第五隔离槽
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113421925 A (43)申请公布日 2021.09.21 (21)申请号 202110567378.X (22)申请日 2021.05.24 (71)申请人 西安理工大学 地址
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