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本发明提供一种单结晶金属氧化物半导体外膜生长装置，包括：反应腔室，具备有内部空间；基板安装单元，配置于所述内部空间，能够安装基板；金属氧化物处理单元，处理金属氧化物，并使在所述金属氧化物上产生的金属离子和氧离子供应至所述基板上；砷供应单元，与所述基板相对，将砷离子供应至所述基板；其中，所述金属氧化物处理单元包括：安装台，配置于所述内部空间，与所述基板相对，并且还设置有所述金属氧化物的氧化锌板；以及电子束照射器，向所述氧化锌板以直射的方式照射电子束，使所述氧化锌板上蒸发的锌离子和氧离子向所述基板移
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113403682 A (43)申请公布日 2021.09.17 (21)申请号 202011390424.5 C23C 14/08 (2006.01)
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