一种半导体器件及其制造方法.pdfVIP

下载本文档

0
0
约1.83万字
约 21页
2023-06-21 发布于四川
举报
版权申诉

一种半导体器件及其制造方法.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本申请提供了一种半导体器件及其制造方法，在衬底上形成位于第一层间介质层中的第一器件，在第一层间介质层上形成第二器件，第二器件包括源极、漏极、源极和漏极之间的沟道和与沟道连接的栅极，其中第二器件的源漏为金属锗化物和P型杂质，沟道为锗沟道，第一器件和第二器件中至少包括一个存储器件和一个逻辑器件，形成覆盖第二器件的第二层间介质层，金属锗化物源漏可以在低温下诱导源漏中的P型杂质激活，充分利用低温工艺优势，避免高温工艺影响第一器件的性能，并结合锗沟道的高空穴迁移率实现器件的高性能，由于在形成第二器件后才覆

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113345840 A (43)申请公布日 2021.09.03 (21)申请号 202110566387.7 H01L 21/8239 (2006.01)