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本发明涉及一种双面电容结构及其形成方法。所述双面电容结构的形成方法包括如下步骤：提供一基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底内的电容触点、位于所述衬底表面的叠层结构、以及贯穿所述叠层结构并暴露所述电容触点的电容孔，所述叠层结构包括沿垂直于所述衬底的方向交替堆叠的牺牲层和支撑层；依次形成第一电极层、第一电介质层和第二电极层于所述电容孔的内壁；填充第一导电材料于所述电容孔内，形成第一导电填充层；完全去除若干层牺牲层和/或支撑层，使得至少残留两层支撑层；形成第二电介质层、以及覆盖与所述第二电介质层表面的
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113314669 B
(45)授权公告日 2022.06.10
(21)申请号 202010123241.0 (56)对比文件
(22)申请日 2020.02.27
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