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2023-06-20 发布于四川
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半导体器件.pdf

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本发明提供了一种半导体器件，包括：浅沟槽隔离结构；导电性区域；第一栅极结构，位于浅沟槽隔离结构上，包括：第一栅极、第一金属层和连接件，第一金属层位于第一栅极的两侧，第一栅极的每侧的第一金属层均沿着第一栅极的延伸方向被切断成两部分，第一栅极的一端的两侧的第一金属层。通过连接件连接，相邻第一栅极的不同端的两侧的第一金属层通过连接件连接；第二栅极结构，部分位于浅沟槽隔离结构上，部分位于导电性区域上。包括：第二栅极，第一金属层和连接件，第一金属层位于第二栅极的两侧，第二栅极的一端的两侧的第一金属层通过连

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113327912 A (43)申请公布日 2021.08.31 (21)申请号 202110593143.8 (22)申请日 2021.05.28 (71)申请人上海华力微电子有限公司