半导体器件和制造半导体器件的方法.pdfVIP

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2023-06-20 发布于四川
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半导体器件和制造半导体器件的方法.pdf

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本申请的实施例提供了具有第一全环栅(GAA)晶体管、第二GAA晶体管和第三GAA晶体管的半导体。第一(GAA)晶体管包括多个第一沟道构件、位于多个第一沟道构件上方的栅极介电层、位于栅极介电层上方的第一功函数层以及位于第一功函数层上方的胶层。第二GAA晶体管包括多个第二沟道构件、位于多个第二沟道构件上方的界面层、位于界面层上方的栅极介电层、位于栅极介电层上方并与栅极介电层接触的第二功函数层、位于第二功函数层上方并与第二功函数层接触的第一功函数层以及位于第一功函数层上方的胶层。第三GAA晶体管包括多

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113314523 A (43)申请公布日 2021.08.27 (21)申请号 202011412478.7 H01L 21/8238 (2006.01) (22)申请日