一种适用于GaN半桥栅驱动系统的死区时间控制电路.pdfVIP

下载本文档

6
0
约2.11万字
约 16页
2023-06-16 发布于四川
举报
版权申诉

一种适用于GaN半桥栅驱动系统的死区时间控制电路.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明属于电源管理技术领域，具体是涉及一种适用于GaN半桥栅驱动系统的死区时间控制电路。本发明的方案，通过死区模式选择控制电压产生电路根据不同的外部编程电阻产生不同的VDT电压，在分段死区时间产生电路中与不同的ref电压进行比较选择不同的延时链输出，并将其延时与输入HI和LI信号进行耦合，最终输出包含死区信息的HI_OUT和LI_OUT信号。本发明的电路可通过调整外部编程电阻的大小自适应的调整内部半桥系统的死区时间。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113241933 B (45)授权公告日 2022.08.02 (21)申请号 202110562680.6 H02M 1/32 (2007.01) (22)申请日 2021.05.