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本发明适用于晶体硅太阳能电池片技术领域,提供了一种晶体硅太阳能电池片光注入方法及其系统和电池片。晶体硅太阳能电池片光注入方法用于晶体硅太阳能电池片光注入系统,光注入系统包括预热设备、激光器模组和冷却设备,光注入方法包括:控制预热设备对太阳能电池片进行预热处理;控制激光器模组发射激光,以辐照预热处理后的太阳能电池片;控制冷却设备对激光辐照后的太阳能电池片进行降温处理。如此,使得太阳能电池片的光注入能量较高,光注入电池片电流诱导衰减(CarrierInducedDegradation,CID)明
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113241390 A (43)申请公布日 2021.08.10 (21)申请号 202110465238.1 (22)申请日 2021.04.28 (71)申请人 天津
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