一种钝化层制作方法.pdfVIP

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2023-06-14 发布于四川
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一种钝化层制作方法.pdf

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本申请提供了一种钝化层制作方法，涉及半导体技术领域。首先提供一待钝化二极管，其中，待钝化二极管包括相互连接的N型层与P型层，然后利用正硅酸乙酯沿P型层的表面制作二氧化硅层，再去除目标区域内的二氧化硅层，并露出目标区域内的P型层，再对目标区域内的P型层与N型层进行刻蚀，以形成露出PN结的沟槽，最后利用玻璃粉在沟槽内实现电泳玻璃工艺，并将玻璃粉进行烧结，以形成钝化层。本申请提供的钝化层制作方法具有产品性能好、可靠性高以及复杂度低等优点。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113113324 A (43)申请公布日 2021.07.13 (21)申请号 202110373658.7 (22)申请日 2021.04.07 (71)申请人捷捷半导体有限公司地