一种半导体结构及其制备方法.pdfVIP

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2023-06-14 发布于四川
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一种半导体结构及其制备方法.pdf

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本发明提供一种半导体结构及其制备方法，半导体结构的制备方法包括：提供晶圆组，晶圆组包括第一晶圆至第N晶圆，N为大于等于3的整数；在第k晶圆的正面的部分区域嵌入第k阻挡层，k为大于等于3且小于等于N的整数；在第一晶圆的背面的部分区域嵌入第一阻挡层；形成第k2阻挡层之后，键合第k2晶圆的正面和第k1晶圆的背面,k2‑k1＝1，k2为大于等于3且小于等于N的整数；形成第一阻挡层之后，键合第一晶圆的背面和第二晶圆的正面；以第一阻挡层、以及第三阻挡层至第N阻挡层为掩膜，从第一晶圆的正面刻蚀第一晶圆至第N晶

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113130316 B (45)授权公告日 2022.07.01 (21)申请号 202110379707.8 (51)Int.Cl.