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一种解决因离散参数的器件,存在温漂、参数离散化等情况而无法对差分信号进行处理的电路结构,包含第一晶体管Q1,第一MOS管Q2,第二MOS管Q3,第一电阻R1,第二电阻R2,第三电阻R3,第四电阻R4,第五电阻R5,第六电阻R6,第七电阻R7,第八电阻R8,第一电容C1,第二电容C2,第一误差放大器(AMP1)。本拓扑电路通过两个MOS管将差分信号进行放大,通过误差放大器(AMP1)调整通过MOS管的电流,从而解决因为器件参数误差而导致放大不一致的情况。
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113114145 A (43)申请公布日 2021.07.13 (21)申请号 202110549727.5 (22)申请日 2021.05.20 (71)申请人 宜矽源半导体南京有限公司
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