存储器装置的半导体结构及其形成方法.pdfVIP

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2023-06-14 发布于四川
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存储器装置的半导体结构及其形成方法.pdf

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本发明实施例涉及存储器装置的半导体结构及其形成方法。本发明一些实施例揭露一种用于存储器装置的存储器结构，其包含第一栅极结构及相邻于所述第一栅极结构的第二栅极结构。所述第二栅极结构包含第一层及第二层，且所述第一层介于所述第二层与所述第一栅极结构之间。所述第一层及所述第二层包含相同半导体材料及相同掺杂物。所述第一层具有第一掺杂物浓度，且所述第二层具有不同于所述第一掺杂物浓度的第二掺杂物浓度。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113130501 A (43)申请公布日 2021.07.16 (21)申请号 202010804770.7 (22)申请日 2020.08.12 (30)优先权数据