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本发明提供一种半导体结构制作方法及半导体结构，涉及半导体制造技术领域，用于解决半导体结构稳定性和半导体器件的性能较低的技术问题，包括：提供设有多个间隔设置的有源区的基底；在基底上依次形成第一叠层结构和第一光刻胶层；对第一光刻胶层负显影，形成第一图案；沿第一图案刻蚀第一叠层结构，在第一叠层结构中形成第二图案；以具有第二图案的第一叠层结构为掩膜，刻蚀基底至预设深度以形成凹陷，保留的基底上形成多个间隔设置的凸台，凹陷环绕凸台，凸台间暴露有源区。通过对第一光刻胶层一次负显影，且对第一叠层结构一次刻蚀，避
(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113097147 B (45)授权公告日 2022.06.10 (21)申请号 202110348268.4 审查员 周文龙 (22)申请日 2021.03.31
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