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本公开提供一种存储器、存储器的衬底结构及存储器的衬底结构的制备方法。该制备方法包括:提供衬底;在衬底上形成包括多个间隔分布的条状图形的第一掩膜层,各条状图形均沿着同一方向延伸;形成覆盖第一掩膜层的第一介质层;在第一介质层上形成多个间隔分布的牺牲部,各牺牲部均覆盖于条状图形;向牺牲部之间的间隙填充第二介质;去除各牺牲部,并保留间隙内的第二介质,以形成第二掩膜层,第二掩膜层对应于各牺牲部的区域均形成暴露条状图形的通孔图形;以第一掩膜层和第二掩膜层为掩膜,逐层刻蚀至衬底内,以形成多个阵列排布的有源区。
(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112864152 B (45)授权公告日 2022.06.24 (21)申请号 201911175485.7 (56)对比文件
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