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所描述实例包含一种传感器装置，其具有定位在半导体衬底上方的第一导体层(110)的中央垫上的至少一个导电细长第一柱(140)，所述第一柱(140)在正交于所述第一导体层(110)的表面的平面的第一方向上延伸。导电细长第二柱(150)以正交定向定位在所述半导体衬底上方的第二导体层(120)上，所述导电细长第二柱(150)处在与所述第一导体层(110)中的通孔开口重合的位置处。所述第二导体层(120)平行于所述第一导体层(110)并通过至少绝缘体层(130)与所述第一导体层(110)间隔，所述导电细长
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112868107 A (43)申请公布日 2021.05.28 (21)申请号 201980068105.1 (74)专利代理机构 北京律盟知识产权代理有限
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