用于共同制造多个半导体结构的方法.pdfVIP

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2023-06-08 发布于四川
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用于共同制造多个半导体结构的方法.pdf

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本发明涉及一种用于共同制造多个半导体结构(8)的方法。所述方法包括：提供由具有主表面的载体(2)、布置于载体(2)的主表面上的介电层(3)和布置于介电层(3)上的多个晶体半导体生长岛(4)形成的衬底。所述方法还包括：在生长岛上形成至少一个晶体半导体有源层(6)。根据本发明，所述方法包括：在形成有源层(6)的步骤之后，在有源层(6)和生长岛(4)中形成沟槽(7)，以界定多个半导体结构(8)。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112868088 A (43)申请公布日 2021.05.28 (21)申请号 201980068128.2 (74)专利代理机构北京戈程知识产权代理有限